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具有電流依賴導(dǎo)通時(shí)間的高壓開(kāi)關(guān)HTS 121-80-LC2

    

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品牌BEHLKE 有效期至長(zhǎng)期有效 最后更新2024-11-19 17:52
峰值電壓4000V 電流12A 響應(yīng)時(shí)間120NS
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具有電流依賴導(dǎo)通時(shí)間的高壓開(kāi)關(guān)HTS 121-80-LC2

高壓開(kāi)關(guān),可變導(dǎo)通時(shí)間,低耦合電容,MOSFET

具有真正繼電器特性的多功能高壓開(kāi)關(guān)

TTL信號(hào)可控制導(dǎo)通時(shí)間

由于耦合電容較低,簡(jiǎn)化了EMC并降低了容性損耗

LC2技術(shù)具有高的瞬態(tài)抗擾度

應(yīng)用筆記一:

C3產(chǎn)品組的開(kāi)關(guān)針對(duì)控制側(cè)和接地的耦合電容進(jìn)行了優(yōu)化。低耦合電容是高重復(fù)率下高效工作的關(guān)鍵??紤]到低噪聲發(fā)射、良好的EMC行為、穩(wěn)定的操作和高開(kāi)關(guān)速度,減小的耦合電容也是期望的。LCLC2開(kāi)關(guān)都能很好地滿足這些要求。但如果是高開(kāi)關(guān)頻率( 300千赫),那么開(kāi)關(guān)系列LC是不錯(cuò)的選擇。LC系列的缺點(diǎn)是其有限的瞬態(tài)抗擾性,這使得它們對(duì)火花放電、短路、不穩(wěn)定的負(fù)載和不穩(wěn)定的輸入電壓相對(duì)敏感。與此相反,LC2系列開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)用于惡劣工作條件下的中等開(kāi)關(guān)頻率(300 kHz)。LC2開(kāi)關(guān)對(duì)不穩(wěn)定負(fù)載(例如等離子體負(fù)載)和不穩(wěn)定輸入電壓不敏感。在其散熱能力范圍內(nèi),它們可以抵抗火花放電、短路和過(guò)壓瞬變。

應(yīng)用筆記二:

BEHLKE固態(tài)開(kāi)關(guān)具有上升和下降時(shí)間。如果您的應(yīng)用不需要全切換速度,我們建議您使用速度限制選項(xiàng)S-TT(上升和下降時(shí)間大約慢。50%),結(jié)合輸入低通濾波器選項(xiàng)LP。速度限制選項(xiàng)有助于小化快速高壓脈沖電路的高頻困難(例如自振蕩、自重新觸發(fā)、振鈴等)。)并從總體上簡(jiǎn)化EMC設(shè)計(jì)。

開(kāi)關(guān)模型
[
排序依據(jù)電壓]

描述/評(píng)論
優(yōu)先類型

大值電壓[KV]

峰值電流
[A]

峰值功率
[MW]

開(kāi)-抵制。
[Ω]

準(zhǔn)時(shí)
[ns]

HTS 61-10-LC2

帶內(nèi)部控制單元的標(biāo)準(zhǔn)DAP外殼

6

100

0.6

2.3

120…∞

HTS 61-20-LC2

帶內(nèi)部控制單元的標(biāo)準(zhǔn)DAP外殼

6

200

1.2

1.15

120…∞

HTS 61-40-LC2

法蘭外殼。內(nèi)部控制單元。

6

400

2.4

0.65

120…∞

HTS 61-80-LC2

法蘭外殼。內(nèi)部控制單元。

6

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0.29

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HTS 121-10-LC2

帶內(nèi)部控制單元的標(biāo)準(zhǔn)DAP外殼

12

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HTS 121-20-LC2

帶內(nèi)部控制單元的標(biāo)準(zhǔn)DAP外殼

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HTS 121-40-LC2

法蘭外殼。內(nèi)部控制單元。

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HTS 361-200-FI  IGBT Switch, Fast IGBT
HTS 500-80   MOSFET Switch
HTS 21-07-C
HTS 81-06-GSM
HTS 150 MOSFET Switch
HTS 61-03-GSM
HTS 300
HTS 901-10-LC2
HTS 11-07-HB-C
聯(lián)系方式
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