德國原廠進口貝克BEHLKE 液體冷卻器

液體冷卻器 

 

LC-200W●液體冷卻器，最高可使用 200W，用于連接現(xiàn)有散熱器或大型金屬外殼，90 x 60 x 42 mm³ 

 

LC-1500W●液體冷卻器，最高可使用 1500W，用于連接現(xiàn)有散熱器或大型金屬外殼，250 x 144 x 50 mm³

 

擇： 高壓和脈沖電源應(yīng)用總是意味著存在一定的火花和閃絡(luò)風(fēng)險，尤其是在環(huán)境條件、操作條件或負載條件發(fā)生意外變化的情況下。因此，固態(tài)開關(guān)的峰值電流能力應(yīng)始終盡可能高，至少要高于應(yīng)用可能出現(xiàn)的短路電流。關(guān)于額定電壓的選擇，我們建議 MOSFET 開關(guān)的安全裕度至少為 5%，所有雙極開關(guān)（IGBT、MCT、SCR）的安全裕度至少為 20%，以最大程度地降低因意外電壓波動或意外反激電壓造成損壞的風(fēng)險. 長期可靠性分別為 高壓固態(tài)開關(guān)的平均故障間隔時間 (MTBF) 始終是其工作溫度的函數(shù)。因此，我們強烈建議盡可能僅在中等溫度下操作開關(guān)。這主要通過選擇足夠的導(dǎo)通電阻、電流容量、自然電容和耦合電容來實現(xiàn)。請參考我們的 電阻性和電容性功率損耗計算的一般說明。如果計算出的功耗超過 開關(guān)的 P d(max)額定值，則必須添加適當(dāng)?shù)睦鋮s選項。請注意，個人 P d(max) 額定值始終參考 25°C 的外殼溫度。這種實驗室測試條件在實踐中當(dāng)然沒有給出。設(shè)計人員還必須考慮增加的環(huán)境溫度以及運行中的實際外殼溫度。因此，許多應(yīng)用需要特殊的冷卻措施。BEHLKE 為各種情況提供廣泛的冷卻選項。設(shè)計人員可以在陶瓷冷卻表面、散熱片、冷卻法蘭和使用水或電介質(zhì)冷卻劑的液體冷卻之間進行選擇。請參閱數(shù)據(jù)表和以下產(chǎn)品調(diào)查了解更多信息。 技術(shù)支持： 為了排除任何技術(shù)上的誤解，為了客戶的利益，我們不提供任何口頭咨詢或電話技術(shù)支持，除非是不可避免的緊急情況。第一次咨詢時，請仔細填寫我們的問卷或在單獨的表格中盡可能準確地描述您的申請，然后通過電子郵件將其發(fā)送給 BEHLKE  或傳真。我們向您保證，您的所有技術(shù)信息都將嚴格保密。提交的保密協(xié)議 (NDA) 將在一個工作日內(nèi)進行合法驗證和簽署。任何合格的售后支持都需要有關(guān)您的應(yīng)用程序的完整信息集。這包括繪制或草繪的電路圖、時序圖、測量值和示波器屏幕截圖，以及有關(guān)實際工作條件（電壓、電流、頻率、脈沖寬度、占空比、轉(zhuǎn)換時間、工作溫度等）的可靠信息。 . 實驗設(shè)置的附加圖片有助于更高效、更快速地分析和排除應(yīng)用程序故障。由于我們的支持和開發(fā)部門的高產(chǎn)能利用率，

 

另請注意，BEHLKE 是一家真正的零部件制造商。我們?yōu)槲覀兊漠a(chǎn)品提供免費支持，但除非我們明確訂購，否則我們不會開發(fā)應(yīng)用程序。我們也不對我們產(chǎn)品在客戶應(yīng)用中的功能承擔(dān)任何責(zé)任或保證。感謝您的理解。

 

 

 

晶閘管 / 晶閘管 / 可控硅 固定準時 可變接通時間 VAR。推拉 高壓脈沖發(fā)生器 高壓二極管 高壓 液體冷卻 高壓元件

 

  開關(guān)，電流取決于導(dǎo)通時間，可控硅晶閘管。 千安應(yīng)用，充電和放電，撬棍。

  開關(guān)，固定導(dǎo)通時間，標準，MOSFET。一般脈沖應(yīng)用、充電和放電、脈沖電場。

  開關(guān)，固定導(dǎo)通時間， 高 di/dt，MOSFET。大電流、高頻、卓越的突發(fā)能力、快速充放電。

  開關(guān)，固定導(dǎo)通時間，超快， MOSFET 。大電流、高di/dt 、中低頻、超快充放電。

  開關(guān)，固定導(dǎo)通時間，低導(dǎo)通電阻，溝槽 FET。  大電流，中速充放電。

  開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，標準，MOSFET。 一般脈沖和開關(guān)應(yīng)用，快速上升時間，高頻。

  開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，高 di/dt，MOSFET。 ^ hIGH在中等頻率的電流，快速上升時間。

  開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，低電容，MOSFET。 低耦合電容。LC2 拓撲結(jié)構(gòu)具有出色的瞬態(tài)抗擾度。

  開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，低導(dǎo)通電阻，碳化硅 FET 和溝槽 FET。 高電流、低導(dǎo)通損耗

  開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，交流 MOSFET。pos的雙向開關(guān)。＆否定。電壓無極變化。交流高達 5 MHz。

  開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，IGBT。中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開關(guān)。

  開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，MCT 晶閘管。 中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開關(guān)。

  開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，推挽，MOSFET。半橋配置中的兩個開關(guān)路徑。真正的方波脈沖。

  開關(guān)，可變導(dǎo)通時間，交流推挽，MOSFET。無極性變化的正負電壓半橋。

   高壓脈沖發(fā)生器單元。實驗室脈沖發(fā)生器單元、特殊用途的 OEM 脈沖發(fā)生器單元、普克爾斯電池驅(qū)動器。

  FDA，快速恢復(fù)高壓二極管組件。快速續(xù)流二極管和網(wǎng)絡(luò)。

  DLC，用于高壓電子設(shè)備的直接液體冷卻。泵組、散熱器、熱交換器、冷卻劑等。

  高壓零件組件和配件。電阻器、電容器、快速高壓探頭、超快速高壓衰減器。