OSI Optoelectronics硅光電二極管技術(shù)指導(dǎo)

 

 

一、硅光電二極管

 

1、通用光電二極管

 

產(chǎn)品介紹：

 

最廣泛使用的硅光電二極管對(duì)400至1100nm敏感。它們有多種有效區(qū)域尺寸可供選擇，從0.5毫米直徑開(kāi)始。至28毫米直徑。提供多種封裝類(lèi)型、密封TO罐、BNC和塑料外殼。

 

（1）光電導(dǎo)器件

 

光電導(dǎo)探測(cè)器系列適用于高速和高靈敏度應(yīng)用。光譜范圍從350到1100nm，使這些光電二極管成為可見(jiàn)光和近紅外應(yīng)用的理想選擇，包括脈沖激光源、LED或斬波光檢測(cè)等交流應(yīng)用。

為了實(shí)現(xiàn)高速，這些檢測(cè)器應(yīng)該是反向偏置的。例如，使用10V反向偏置可以實(shí)現(xiàn)10ns到250ns的典型響應(yīng)時(shí)間。當(dāng)施加反向偏壓時(shí)，電容減?。ㄈ缦聢D所示）直接對(duì)應(yīng)于速度的增加。如規(guī)格表所示，反向偏壓不應(yīng)超過(guò)30伏。較高的偏置電壓將對(duì)探測(cè)器造成永久性損壞。

由于反向偏壓會(huì)產(chǎn)生額外的暗電流，因此器件中的噪聲也會(huì)隨著施加的偏壓而增加。對(duì)于噪聲較低的探測(cè)器，應(yīng)考慮使用光伏系列。

 

（2）光伏器件

 

光伏探測(cè)器系列用于需要高靈敏度和中等響應(yīng)速度的應(yīng)用，藍(lán)色增強(qiáng)系列在可見(jiàn)藍(lán)色區(qū)域具有額外的靈敏度。光譜響應(yīng)范圍為350至1100nm，使常規(guī)光伏器件成為可見(jiàn)光和近紅外應(yīng)用的理想選擇。對(duì)于350至550nm區(qū)域的額外靈敏度，藍(lán)色增強(qiáng)器件更適合。

這些探測(cè)器具有高分流電阻和低噪聲，并表現(xiàn)出長(zhǎng)期穩(wěn)定性。這些探測(cè)器的無(wú)偏操作在直流或低速應(yīng)用中的寬溫度變化下提供穩(wěn)定性。對(duì)于高光水平（大于10mW/cm2），應(yīng)考慮使用光電導(dǎo)系列檢測(cè)器以獲得更好的線性度。

這些檢測(cè)器并非設(shè)計(jì)為反向偏置！稍有偏差即可獲得響應(yīng)時(shí)間的非常輕微的改進(jìn)。施加超過(guò)幾伏(>3V)的反向偏壓將永久損壞探測(cè)器。如果需要更快的響應(yīng)時(shí)間，應(yīng)考慮光電導(dǎo)系列。

 

（3）藍(lán)色增強(qiáng)型光電二極管

 

藍(lán)色增強(qiáng)型探測(cè)器系列用于需要在可見(jiàn)藍(lán)色區(qū)域具有高靈敏度和中等響應(yīng)速度的應(yīng)用。與常規(guī)光伏器件相比，這些檢測(cè)器在350至550nm區(qū)域提供額外的靈敏度。對(duì)于可見(jiàn)光和近紅外應(yīng)用，即光譜響應(yīng)范圍從350到1100nm，可以考慮使用常規(guī)光伏器件。

這些探測(cè)器具有高分流電阻和低噪聲，并表現(xiàn)出長(zhǎng)期穩(wěn)定性。這些探測(cè)器的無(wú)偏操作在直流或低速應(yīng)用中的寬溫度變化下提供穩(wěn)定性。對(duì)于高光水平（大于10mW/cm2），應(yīng)考慮使用光電導(dǎo)系列檢測(cè)器以獲得更好的線性度。

 

（4）背照式SMT光電二極管

 

BI-SMT產(chǎn)品系列是單通道背照式光電二極管，專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于最大限度地減少設(shè)備邊緣的“死區(qū)”。每個(gè)設(shè)備都設(shè)計(jì)在一個(gè)尺寸與芯片本身非常相似的封裝上。這種設(shè)計(jì)允許多個(gè)探測(cè)器以平鋪形式排列，并易于耦合到閃爍體。

 

2、高速硅光電二極管

 

產(chǎn)品介紹：

 

這些探測(cè)器是在800nm波段優(yōu)化的小型有源區(qū)域探測(cè)器，具有快速上升時(shí)間，適用于高帶寬應(yīng)用（高達(dá)1.25GHz）。可用平視窗或微透鏡窗TO18即可。

 

（1）100Mbps至622Mbps光電二極管

 

OSIOptoelectronics的大有源區(qū)域和高速硅探測(cè)器系列旨在可靠地支持短程數(shù)據(jù)通信應(yīng)用。在3.3V偏置下，它們都表現(xiàn)出低暗電流和低電容?；締卧捎?針TO-46封裝，帶有微型鏡頭蓋或AR涂層平面窗口。標(biāo)準(zhǔn)光纖插座（FC、ST、SC和SMA）允許將OSIOptoelectronics

 

的快速硅光電二極管輕松集成到系統(tǒng)中。 

 

（2）1.25Gbps光電二極管

 

OSIOptoelectronics的大有源區(qū)域和高速硅PIN光電二極管系列擁有針對(duì)850nm短程光數(shù)據(jù)通信應(yīng)用優(yōu)化的大傳感區(qū)域。光電探測(cè)器在3.3V時(shí)表現(xiàn)出高響應(yīng)度、寬帶寬、低暗電流和低電容。

光電二極管可用于所有850nm收發(fā)器和高達(dá)1.25Gbps的GBIC應(yīng)用，例如千兆以太網(wǎng)和光纖通道。該芯片采用3引腳TO-46封裝隔離，可選擇微透鏡蓋或AR涂層平面窗口。它們還提供標(biāo)準(zhǔn)光纖插座，例如FC、ST、SC和SMA。

 

3、紫外線增強(qiáng)型光電二極管

 

產(chǎn)品介紹：

 

這些探測(cè)器通常在200到1100nm之間敏感，通常采用石英或紫外線透射玻璃窗封裝。它們表現(xiàn)出低暗電流，并且可以反向偏置以實(shí)現(xiàn)更低的電容和更快的上升時(shí)間性能。

 

（1）反轉(zhuǎn)層光電二極管

 

OSIOptoelectronics提供兩個(gè)不同系列的紫外線增強(qiáng)型硅光電二極管。反轉(zhuǎn)通道系列和平面擴(kuò)散系列。這兩個(gè)系列的設(shè)備都是專(zhuān)門(mén)為電磁光譜紫外區(qū)的低噪聲檢測(cè)而設(shè)計(jì)的。

反轉(zhuǎn)層結(jié)構(gòu)UV增強(qiáng)型光電二極管具有100%的內(nèi)部量子效率，非常適合低強(qiáng)度光測(cè)量。它們具有高分流電阻、低噪聲和高擊穿電壓。施加5至10伏的反向偏壓可提高整個(gè)表面的響應(yīng)均勻性和量子效率。與擴(kuò)散器件相比，反轉(zhuǎn)層器件的光電流非線性設(shè)置在較低的光電流下。在

 

700nm以下，它們的響應(yīng)度隨溫度變化不大。

 

（2）平面擴(kuò)散光電二極管

 

OSIOptoelectronics提供兩個(gè)不同系列的紫外線增強(qiáng)型硅光電二極管。反轉(zhuǎn)通道系列和平面擴(kuò)散系列。這兩個(gè)系列的設(shè)備都是專(zhuān)門(mén)為電磁光譜紫外區(qū)的低噪聲檢測(cè)而設(shè)計(jì)的。

平面擴(kuò)散結(jié)構(gòu)（UV-D系列）UV增強(qiáng)型光電二極管與反型層器件相比具有顯著優(yōu)勢(shì)，例如更低的電容和更快的響應(yīng)時(shí)間。與反型層器件相比，這些器件在更高的光輸入功率下表現(xiàn)出光電流線性。它們?cè)陂L(zhǎng)時(shí)間暴露于紫外線下時(shí)提供更好的穩(wěn)定性。

 

（3）平面擴(kuò)散紅外抑制光電二極管

 

OSIOptoelectronics提供兩個(gè)不同系列的紫外線增強(qiáng)型硅光電二極管。反轉(zhuǎn)通道系列和平面擴(kuò)散系列。這兩個(gè)系列的設(shè)備都是專(zhuān)門(mén)為電磁光譜紫外區(qū)的低噪聲檢測(cè)而設(shè)計(jì)的。

平面擴(kuò)散結(jié)構(gòu)（UV-E系列）UV增強(qiáng)型光電二極管與反型層器件相比具有顯著優(yōu)勢(shì)，例如更低的電容和更快的響應(yīng)時(shí)間。與反型層器件相比，這些器件在更高的光輸入功率下表現(xiàn)出光電流線性。它們?cè)陂L(zhǎng)時(shí)間暴露于紫外線下時(shí)提供更好的穩(wěn)定性。

 

4、X射線和輻射探測(cè)器

 

產(chǎn)品介紹：

 

這些硅光電二極管專(zhuān)為X射線區(qū)域的額外靈敏度而設(shè)計(jì)，無(wú)需使用閃爍體晶體或屏幕。靈敏度范圍從200nm到0.07nm（6eV到17.6keV）或17.6keV及以上。通常可提供可拆卸窗口，并且可以與真空兼容。

 

（1）軟X射線、遠(yuǎn)紫外增強(qiáng)型光電二極管

 

OSIOptoelectronics的1990年R&D100獲獎(jiǎng)X-UV檢測(cè)器系列是一種獨(dú)特的硅光電二極管，旨在提高電磁光譜X射線區(qū)域的靈敏度，而無(wú)需使用任何閃爍體晶體或屏幕。在200nm至0.07nm（6eV至17,600eV）的寬靈敏度范圍內(nèi)，每3.63eV的入射能量產(chǎn)生一對(duì)電子-空穴對(duì)，這對(duì)

 

應(yīng)于Eph/3.63eV預(yù)測(cè)的極高穩(wěn)定量子效率（見(jiàn)圖以下）。對(duì)于高于17.6keV的輻射能量的測(cè)量，請(qǐng)參閱“完全耗盡的高速和高能輻射探測(cè)器”部分。

 

（2）完全耗盡的光電二極管

 

這些大有源面積高速檢測(cè)器可以完全耗盡，以實(shí)現(xiàn)盡可能低的結(jié)電容以實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)時(shí)間。它們可以在更高的反向電壓下運(yùn)行，達(dá)到最大允許值，以實(shí)現(xiàn)更快的納秒響應(yīng)時(shí)間。此時(shí)的高反向偏壓增加了結(jié)上的有效電場(chǎng)，因此增加了耗盡區(qū)的電荷收集時(shí)間。請(qǐng)注意，這是

 

在不犧牲高響應(yīng)度和活動(dòng)區(qū)域的情況下實(shí)現(xiàn)的。

 

（3）多通道X射線探測(cè)器

 

該系列由16個(gè)元件陣列組成：各個(gè)元件組合在一起并安裝在PCB上。對(duì)于X射線或伽馬射線應(yīng)用，這些多通道探測(cè)器提供閃爍體安裝選項(xiàng)：BGO、CdWO4或CsI(TI)。BGO（鍺酸鉍）是一種理想的吸收劑：它在高能檢測(cè)應(yīng)用中被廣泛接受。CdWO4（鎢酸鎘）具有足夠高的光輸出

 

，有助于改善光譜分析結(jié)果。CsI（碘化銫）是另一種高能量吸收劑，可提供足夠的抗機(jī)械沖擊和熱應(yīng)力的能力。當(dāng)耦合到閃爍體時(shí)，這些硅陣列通過(guò)散射效應(yīng)將任何中等或高輻射能量映射到可見(jiàn)光譜。此外，他們專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的PCB允許端到端連接。在需要更大規(guī)模組裝的

 

情況下可以部署多個(gè)陣列。

 

5、光電二極管列陣

 

產(chǎn)品介紹：

 

具有不同尺寸和間距的有源區(qū)域的線性或二維陣列，以適應(yīng)各種應(yīng)用。提供LCC、DIP芯片載體、PCB、陶瓷或單片可焊接裸芯片。

 

（1）多元件光電二極管陣列

 

多通道陣列光電探測(cè)器由多個(gè)彼此相鄰放置的單個(gè)元件光電二極管組成，形成一維傳感區(qū)域公共陰極基板。他們可以同時(shí)測(cè)量移動(dòng)光束或許多波長(zhǎng)的光束。它們具有低電串?dāng)_和相鄰元件之間的超高均勻性，可實(shí)現(xiàn)非常高精度的測(cè)量。

當(dāng)需要大量檢測(cè)器時(shí)，陣列提供了一種低成本的替代方案。檢測(cè)器針對(duì)紫外、可見(jiàn)光或近紅外范圍進(jìn)行了優(yōu)化。然后可以在光電導(dǎo)模式（反向偏置）下運(yùn)行以減少響應(yīng)時(shí)間，或者在光伏模式（無(wú)偏置）下運(yùn)行以用于低漂移應(yīng)用。

 

（2）二維光電二極管陣列

 

PIN-4X4D是一個(gè)4x4陣列的超藍(lán)增強(qiáng)型光電探測(cè)器。我們的專(zhuān)有設(shè)計(jì)在所有16個(gè)元素之間提供了幾乎完全的隔離。標(biāo)準(zhǔn)LCC封裝可輕松集成到您的表面貼裝應(yīng)用中。許多應(yīng)用包括比率和散射測(cè)量，以及位置傳感。如需定制封裝、特殊電光要求或以裸片形式訂購(gòu)這些部件，

 

請(qǐng)聯(lián)系我們的應(yīng)用組。

 

6、Nd-YAG優(yōu)化光電二極管

 

產(chǎn)品介紹：

 

YAG系列光電探測(cè)器針對(duì)1060nm的高響應(yīng)、YAG激光波長(zhǎng)和低電容進(jìn)行了優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行和低噪聲。這些探測(cè)器可用于感測(cè)低光強(qiáng)度，例如用于測(cè)距應(yīng)用的YAG激光束照射的物體反射的光。SPOT系列象限探測(cè)器非常適合瞄準(zhǔn)和指向應(yīng)用。這些都是NonP設(shè)備。這些探測(cè)

 

器可用于光伏模式，用于需要低噪聲的低速應(yīng)用，或用于光電導(dǎo)模式，應(yīng)用反向偏壓，用于高速應(yīng)用。

 

7、雪崩光電二極管

 

產(chǎn)品介紹：

 

硅雪崩光電二極管利用內(nèi)部乘法來(lái)實(shí)現(xiàn)因碰撞電離而產(chǎn)生的增益。結(jié)果是優(yōu)化的高響應(yīng)度設(shè)備系列，表現(xiàn)出出色的靈敏度。OSIOptoelectronics提供多種尺寸的探測(cè)器，可用于光纖應(yīng)用的平面窗口或球透鏡。

 

8、光電二極管放大器混合器

 

產(chǎn)品介紹：

 

這些探測(cè)器與前置放大器集成在同一個(gè)封裝內(nèi)。它們產(chǎn)生與入射光強(qiáng)度成比例的電壓輸出。各種增益和帶寬由客戶選擇的外部反饋組件決定。

 

（1）PHOTOP系列

 

Photop™系列在同一封裝中結(jié)合了光電二極管和運(yùn)算放大器。Photop™通用檢測(cè)器的光譜范圍為350nm至1100nm或200nm至1100nm。它們具有集成封裝，可確保在各種操作條件下實(shí)現(xiàn)低噪聲輸出。這些運(yùn)算放大器由OSIOptoelectronics工程師專(zhuān)門(mén)選擇，以兼容我們的光電二

 

極管。

其中許多特定參數(shù)是低噪聲。低漂移和支持由外部反饋組件確定的各種增益和帶寬的能力。對(duì)于低速、低漂移應(yīng)用的無(wú)偏配置或偏壓以獲得更快的響應(yīng)時(shí)間，都可以從DC電平到幾MHz運(yùn)行。LN系列Photops將與OV偏置一起使用。

 

（2）1.25Gbps光電二極管放大器混合器

 

FCI-H125G-10：低噪聲、高帶寬光電探測(cè)器和跨阻放大器，專(zhuān)為短波長(zhǎng)(850nm)高速光纖數(shù)據(jù)通信而設(shè)計(jì)。該混合器包含一個(gè)直徑為250µm的大傳感區(qū)域、高靈敏度硅光電探測(cè)器。它還包括一個(gè)高增益跨阻放大器，該放大器產(chǎn)生一個(gè)差分輸出電壓，用于鎖存到用于千兆以

 

太網(wǎng)和光纖通道應(yīng)用的電光接收器和收發(fā)器的后置放大器，通過(guò)多模光纖傳輸速率高達(dá)1.25Gbps。光電探測(cè)器將光轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，同時(shí)輸出電壓隨著光的輸入/輸出而增加。這是通過(guò)單個(gè)+3.3V至+5V正電源實(shí)現(xiàn)的。

 

（3）BPX65-100

 

BPX65-100接收器包含一個(gè)與NE5212(Signetics)跨阻放大器耦合的BPX-65超高速光電二極管。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品包括ST和SMA連接器版本。

 

9、光電二極管濾波器組件

 

產(chǎn)品介紹：

 

濾光片為定制硅光電二極管的光譜響應(yīng)提供了一種低成本且有效的解決方案。光度檢測(cè)器和輻射檢測(cè)器通常是通過(guò)使用集成濾光片來(lái)設(shè)計(jì)的。

 

（1）檢測(cè)濾光片組合系列

 

探測(cè)器-濾光片組合系列包含一個(gè)濾光片和一個(gè)光電二極管，以實(shí)現(xiàn)定制的光譜響應(yīng)。OSIOptoelectronics提供多種標(biāo)準(zhǔn)和定制組合。根據(jù)要求，所有檢測(cè)器-過(guò)濾器組合都可以提供NIST可追溯校準(zhǔn)數(shù)據(jù)，以安培/瓦特、安培/流明、安培/勒克斯或安培/英尺燭光指定。在

 

許多可能的定制組合中，以下是一些可作為標(biāo)準(zhǔn)部件提供的檢測(cè)器-過(guò)濾器組合。

 

PIN-10AP-是一個(gè)1cm2有效面積、BNC封裝檢測(cè)器-過(guò)濾器組合，可復(fù)制最常用光學(xué)輔助設(shè)備的響應(yīng)；人眼。眼睛感知亮度和顏色，響應(yīng)隨波長(zhǎng)而變化。該響應(yīng)曲線通常稱(chēng)為CIE曲線。AP濾光片將CIE曲線精確匹配到面積的4%以?xún)?nèi)。

PIN-555AP-具有與PIN10-AP相同的光學(xué)特性，在同一封裝中具有額外的運(yùn)算放大器。封裝和運(yùn)算放大器組合與UDT-555D探測(cè)器-放大器組合(PhotopsTM)相同。

PIN-005E-550F-使用具有550nm峰值透射率的低成本寬帶通濾波器來(lái)模擬光度應(yīng)用的CIE曲線。通帶與CIE曲線相似，但光譜響應(yīng)曲線的實(shí)際斜率卻大不相同。該設(shè)備還可用于阻擋700nm及以上光譜范圍的近紅外部分。

PIN-005D-254F-是一個(gè)6mm2有效面積、紫外增強(qiáng)型光電二極管-濾光片組合，它使用峰值為254nm的窄帶通濾光片。

 

（2）眼睛反應(yīng)檢測(cè)器

 

E系列光電二極管是帶有高質(zhì)量色彩校正濾光片的藍(lán)色增強(qiáng)探測(cè)器。產(chǎn)生的光譜響應(yīng)近似于人眼的光譜響應(yīng)。

除了列出的E系列光電二極管外，OSIOptoelectronics還可以為該目錄中的其他光電二極管提供各種濾光片

 

10、可焊芯片光電二極管

 

產(chǎn)品介紹：

 

一種低成本方法，適用于需要大有源面積光電探測(cè)器或探測(cè)器被認(rèn)為是“一次性”的應(yīng)用。提供焊接引線或作為獨(dú)立裸片。靈敏度范圍從400nm到1100nm。

 

（1）光電導(dǎo)可焊芯片

 

可焊接光電二極管芯片系列為需要大有源面積光電探測(cè)器的應(yīng)用提供了一種低成本的方法，該光電探測(cè)器具有或不具有飛線，以便于組裝和/或探測(cè)器被認(rèn)為是“一次性”的情況。它們具有低電容、中等暗電流、寬動(dòng)態(tài)范圍和高開(kāi)路電壓。這些探測(cè)器有兩條3"長(zhǎng)的引線，

 

分別焊接到正面（陽(yáng)極）和背面（陰極）。光電導(dǎo)可焊系列(SXXCL)用于低電容和快速響應(yīng)應(yīng)用。

 

（2）光伏可焊芯片

 

可焊接光電二極管芯片系列為需要大有源面積光電探測(cè)器的應(yīng)用提供了一種低成本的方法，該光電探測(cè)器具有或不具有飛線，以便于組裝和/或探測(cè)器被認(rèn)為是“一次性”的情況。它們具有低電容、中等暗電流、寬動(dòng)態(tài)范圍和高開(kāi)路電壓。這些探測(cè)器配有兩條3英寸長(zhǎng)的

 

引線，分別焊接到正面（陽(yáng)極）和背面（陰極）。光伏可焊接系列(SXXVL)用于低噪聲應(yīng)用。

 

11、位置感應(yīng)探測(cè)器

 

產(chǎn)品介紹：

 

以下是專(zhuān)為位置傳感應(yīng)用而設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。分段和橫向效應(yīng)PSD可用于1維或2維活動(dòng)區(qū)域。有多種有效區(qū)域尺寸和封裝可供選擇，以適應(yīng)廣泛的應(yīng)用。分段檢測(cè)器通常用于光束歸零應(yīng)用，而橫向效應(yīng)PSD最適合測(cè)量寬橫向位移。

 

（1）分段光電二極管

 

SPOT系列是普通基板光電探測(cè)器，分為兩(2)或四(4)個(gè)獨(dú)立的有源區(qū)域。它們可在相鄰元件之間具有0.005"或0.004"明確定義的間隙，從而在元件之間產(chǎn)生高響應(yīng)均勻性。SPOT系列非常適合非常精確的調(diào)零或定心應(yīng)用。當(dāng)光斑直徑大于細(xì)胞間距時(shí)，可以獲得位置信息。

 

（2）和差放大器模塊

 

QD7-0-SD或QD50-0-SD是帶有相關(guān)電路的象限光電二極管陣列，可提供兩個(gè)差分信號(hào)和一個(gè)和信號(hào)。兩個(gè)差信號(hào)是由相對(duì)的光電二極管象限元件對(duì)感測(cè)的光的相對(duì)強(qiáng)度差的電壓模擬。此外，所有4個(gè)象限元素的放大總和作為總和信號(hào)提供。這使得QD7-0-SD或QD50-0-SD成為

 

光束歸零和定位應(yīng)用的理想選擇。非常精確的光束對(duì)準(zhǔn)是可能的，該電路也可用于目標(biāo)獲取和對(duì)準(zhǔn)。

 

（3）DuoLateralPSDs

 

超級(jí)線性位置傳感器采用最先進(jìn)的雙橫向技術(shù)，可提供與活動(dòng)區(qū)域上光點(diǎn)質(zhì)心距中心的位移成比例的連續(xù)模擬輸出。作為連續(xù)位置傳感器，這些探測(cè)器是無(wú)與倫比的。在64%的感應(yīng)區(qū)域內(nèi)提供99%的位置精度。這些精度是通過(guò)雙橫向技術(shù)實(shí)現(xiàn)的，制造具有兩個(gè)單獨(dú)的電阻

 

層的探測(cè)器，一個(gè)位于芯片的頂部，另一個(gè)位于芯片的底部。使用這些傳感器可以獲得一維或二維位置測(cè)量。

 

（4）Tetra橫向PSD

 

四邊形位置傳感探測(cè)器制造有一個(gè)單一的電阻層，用于一維和二維測(cè)量。它們具有用于一維位置感測(cè)的共陽(yáng)極和兩個(gè)陰極或用于二維位置感測(cè)的四個(gè)陰極。

這些探測(cè)器最適合用于需要在寬空間范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)量的應(yīng)用。它們?cè)诔^(guò)64%的感應(yīng)區(qū)域內(nèi)提供高響應(yīng)均勻性、低暗電流和良好的位置線性度。

 

12、塑料封裝探測(cè)器

 

產(chǎn)品介紹：

 

OSIOptoelectronics提供一系列高質(zhì)量和可靠的塑料封裝光電二極管。它們提供各種形狀和尺寸的光電探測(cè)器和封裝，包括行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T1和T13/4、BPW34、平面和透鏡側(cè)觀察器以及表面貼裝系列。

 

（1）塑封系列

 

OSIOptoelectronics提供一系列高品質(zhì)和可靠性的塑料封裝光電二極管。這些模制器件可提供各種形狀和尺寸的光電探測(cè)器和封裝，包括行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T1和T13/4、平面和透鏡側(cè)觀察器以及表面貼裝版本(SOT-23)。它們非常適合在惡劣環(huán)境中安裝在PCB和手持設(shè)備上。

 

（2）雙發(fā)射器系列

 

雙LED系列包括一個(gè)660nm（紅色）LED和一個(gè)配套的IRLED，例如880/895、905或940nm。它們廣泛用于比率測(cè)量，例如醫(yī)學(xué)分析和監(jiān)測(cè)設(shè)備。它們還可用于需要低成本雙波長(zhǎng)光源的應(yīng)用。有兩種類(lèi)型的引腳配置可供選擇：1.)三個(gè)引線，一個(gè)公共陽(yáng)極或陰極，或2.)兩個(gè)引

 

線并聯(lián)背對(duì)背連接。它們有兩種包裝。透明的引線框架模制側(cè)面外觀和無(wú)鉛陶瓷基板。匹配光電探測(cè)器的響應(yīng)針對(duì)660nm和近紅外波長(zhǎng)的最大響應(yīng)度進(jìn)行了優(yōu)化。它們表現(xiàn)出低電容和低暗電流，并在與雙發(fā)射器相同的兩種封裝中提供三種不同的有源區(qū)域尺寸：透明引線框

 

架模制側(cè)面外觀和無(wú)引線陶瓷基板。